氮化硅薄膜窗口
隨著各種軟X射線光源的出現(xiàn)，如同步輻射、激光等離子體等高亮度的X射線源的發(fā)展，軟X射線顯微成像技術(shù)在全世界范圍內(nèi)得到迅速發(fā)展。在此領(lǐng)域，需要應(yīng)用各種尺寸和厚度的氮化硅薄膜窗口。
1. RISUN提供的氮化硅薄膜窗口是利用現(xiàn)代MEMS技術(shù)制備而成；
2. RISUN提供的氮化硅窗選用低應(yīng)力氮化硅（0-250MP）薄膜，和ST氮化硅薄膜相比，低應(yīng)力產(chǎn)品更堅(jiān)固耐用，成為用戶的首選；
3. RISUN提供的氮化硅薄膜窗口非常適合應(yīng)用于透射成像和透射能譜等廣泛的科學(xué)研究領(lǐng)域，例如，X-射線（上海光源透射成像/能譜線站）、TEM、SEM、IR、UV等。
透光度
使用透射（光學(xué)）顯微鏡時(shí)，完全可以透過薄膜窗進(jìn)行觀察。但薄膜窗的厚度有一定限制，否則其透光度會(huì)明顯下降。對(duì)于X射線用窗口，500nm厚的氮化硅薄膜有很好的X光穿透效果，對(duì)于軟X射線（例如碳邊吸收譜），100-200nm厚的氮化硅薄膜窗口是用戶首選。
真空適用性
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薄膜厚度 |
窗口面積 |
壓力差 |
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≥50 nm |
≤1.0 x 1.0 mm |
1 atm |
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≥100 nm |
≤1.5 x 1.5 mm |
1 atm |
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≥200 nm |
≤2.5 x 2.5 mm |
1 atm |
表面平整度
RISUN氮化硅薄膜窗口具有穩(wěn)定的表面平整性（粗糙度小于1nm），對(duì)于X射線應(yīng)用沒有任何影響。
溫度特性
RISUN氮化硅薄膜窗口是耐高溫產(chǎn)品，能夠承受1000℃高溫，非常適合在其表面利用CVD方法生長各種納米材料。
化學(xué)特性
RISUN氮化硅薄膜窗口是惰性襯底。
RISUN氮化硅薄膜窗規(guī)格
單窗口系列
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薄膜厚度 |
窗口尺寸 |
框架尺寸 |
型號(hào) |
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50-500nm |
1.5X1.5mm |
5.0X5.0mm |
RISUN |
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50-500nm |
2.5X2.5mm |
7.5X7.5mm |
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50-500nm |
3.0X3.0mm |
10X10mm |
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50-500nm |
5.0X5.0mm |
10X10mm |
硅片厚度：200um、381um、525um；
陣列系列
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薄膜厚度 |
窗口尺寸 |
框架尺寸 |
型號(hào) |
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50-300nm |
2x2陣列，1.5X1.5mm |
5.0X5.0mm |
RISUN |
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50-300nm |
3x3陣列，1.5X1.5mm |
7.5X7.5mm |
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50-300nm |
4x4陣列，1.5X1.5mm |
10X10mm |
硅片厚度：200um、381um、525um；
定制系列
RISUN也可以根據(jù)用戶需求提供不同膜厚、鍍層（如：Au）的定制服務(wù)，50-100片起訂。
本產(chǎn)品為一次性產(chǎn)品，不建議用戶重復(fù)使用；本產(chǎn)品不能進(jìn)行超聲清洗，適合化學(xué)清洗、輝光放電和等離子體清洗。
1. 同步輻射X射線（紫外或極紫外）透射成像或透射能譜應(yīng)用中是不可或缺的樣品承載體。
2. 耐高溫、惰性襯底，適應(yīng)各種聚合物、納米材料、半導(dǎo)體材料、光學(xué)晶體材料和功能薄膜材料的制備環(huán)境，利于制備理想的用于X射線表征用的自組裝單層薄膜或薄膜（薄膜直接沉積在窗口上）。
3. 生物和濕細(xì)胞樣本的理想承載體。特別是在等離子體處理后，窗口具有很好的親水性。
4. 耐高溫、惰性襯底，也可以用于化學(xué)反應(yīng)和退火效應(yīng)的原位表征。
5. 適合作為膠體、氣凝膠、有機(jī)材料和納米顆粒等的表征實(shí)驗(yàn)承載體。
氮化硅膜可用作軟X射線接觸顯微術(shù)的襯底支持膜，成像后直接進(jìn)行透射電鏡觀察；
可作為同步輻射光束線中的污染阻擋層；可以成為制作各種光學(xué)波帶片的襯底薄膜；
可以作為投影顯微術(shù)靶的支持膜；可以用作真空窗口，在同步輻射軟X射線顯微術(shù)中，隔開光源超高真空與顯微術(shù)光學(xué)元件高真空部分；
在活樣品室設(shè)計(jì)中，隔開高真空的軟X射線部分與大氣壓，使樣品在大氣中曝光，這對(duì)于研究生物活細(xì)胞具有重大意義。
