等離子刻蝕速率

時(shí)間:2019-12-25 10:26

什么是刻蝕

刻蝕是采用化學(xué)或物理方法有選擇地從芯片表面去除不需要材料的過(guò)程。刻蝕目的：在涂膠的芯片表面上正確的復(fù)制掩膜圖形。

什么是物理干法刻蝕

目前刻蝕采用的物理方法是使用等離子刻蝕系統(tǒng)把芯片表面暴露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)光刻膠中開(kāi)出的窗口與芯片發(fā)生物理或化學(xué)反應(yīng)（或兩種反應(yīng)），從而去掉暴露的表面材料。

什么等離子刻蝕速率

等離子刻蝕速率指等離子刻蝕過(guò)程去除芯片表面不需要材料的速度。等離子刻蝕速率通常用 Å/min

表示，刻蝕速率=Å/min。刻蝕速率正比于蝕劑濃度，與芯片表面形狀等因素有關(guān)。等離子刻蝕電介質(zhì)及金屬材料的刻蝕速率

模塊化工藝處理系統(tǒng)即等離子刻蝕系統(tǒng)是為了滿足廣泛的研發(fā)及生產(chǎn)領(lǐng)域的等離子工藝處理要求而研發(fā)的多功能平臺(tái)。

盡管每個(gè)用戶的刻蝕應(yīng)用可能不一樣，不同等離子工藝應(yīng)用的基本效果如下表所示。我們致力于協(xié)助客戶獲取最佳的等離子工藝性能。

等離子刻蝕工藝

電介質(zhì)-含氟化學(xué)

電介質(zhì)-含氯化學(xué)

注：蝕刻速率及選擇性可以優(yōu)化，提供產(chǎn)出效率。

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